选课类别:计划内与自由选修 | 教学类型:理论课 |
课程类别:本科计划内课程 | 开课单位:物理学系 |
课程层次:专业选修 | 学分:3.0 |
徐军老师讲课认真,逻辑清晰,但讲课速度较快,课程细节繁多,使得部分同学难以完全跟上进度,因此课下自学是必要的。有些同学反映老师讲课较为枯燥,主要是念PPT,还有较多推公式的内容。
课程内容主要涵盖PN结、BJT、JFET/MESFET、MOSFET和少量CMOS器件。内容细节丰富,部分涉及课本上没有的知识。课程侧重介绍器件的IV、CV特性以及器件原理,帮助同学们了解器件选型。
作业类型较难,部分简单的可直接抄公式,复杂的作业需动脑。没有提供作业答案或习题课,导致作业完成困难。课程包含平时测试和调研报告,报告需认真撰写并附参考文献。
考试为半开卷,以选择、简答和计算题为主,内容繁杂,需复习细致。计算题重点在MOS相关计算,特别是阈值电压。总体考试题量大,但老师改卷较松,多数同学表示最终成绩令人满意。给分方式为70%期末考试、30%调研论文或20%作业+10%小测。
课程难度中等,知识点多且纷繁。部分同学认为基础知识不足影响理解,建议先修《半导体物理》。助教存在感不强,提供的支持有限。总体来说,尽管挑战不少,但这门课程对器件选型的理解有很大帮助。
器件原理承接着半导体物理结束的地方继续深入介绍关于PN结,BJT,金半结,JFET,MESFET和MOSFET的相关内容。由于奇怪的课程安排,这门课开始讲课时半导体只刚讲了三分之一的内容,导致基础知识严重缺乏,前半学期完全不知道这门课在干嘛,如果可以的话可将半导体物理时间调整至3秋会好点。课程细节繁多,涉及不少课本上没有提到的知识,老师讲课速度较快,基本得靠课下自学。
老师按照70%考试+30%调研论文给分,尽量认真写论文而且一定要注明参考文献(否则会直接总评-5)。考试半开卷,题量巨大,不少比较细枝末节的东西复习时不容易注意到。我个人考试已知错了的大题就有3个,但最后还是压线上了3.7,估计老师改卷也还是比较松的吧。(不过好像这个班低分的同学还蛮多的。。。
昨天看到助教发群公告要解散群了,突然想多说一点。这门课的助教我真的会谢,有作业答案吗?没有;有习题课吗?没有;这道题怎么做?不会…那我要你这个助教有啥用,浪费纳税人钱是吧😅
-----------------下面原评价----------------
知识点好杂好杂……老师讲的还算比较清晰吧,但是后面基本上听不懂了,因为符号太多了……
最后直接出总评,91,莫名其妙的,不过我倒还算满意了,不知道有没有调分。不过按照老师之前的说法,会给满优秀率。
考试半开卷(可以贴便签纸,我就多打印了一栏粘了上去),主要是选择、简答、现象解释以及计算。计算题重点关注MOS相关计算,比如阈值电压等(还考了CMOS的动态功耗……真的没有看到好吗)。现象解释考了稳压管的原理以及应用,概念题问了什么叫做增益,其他的不太能记得了。
最后照例造福一下后人,鉴于我总评也没有好高,大家就凑合着看吧……毕竟妮可物院微电子真的是人太少了……
本来以为有4.3的,结果差一点...
70%考试+20%作业+10%小测
这门课是承接半导体物理来讲的,但却和半导体物理排在一个学期,所以开始讲的时候可能听不懂,可以自己看参考书或者去听半导体物理网课,每章结束有小测。老师上课主要是念ppt
作业是祖传多年的,导致助教不能在习题课给答案只能给公式。作业的话难度不一,简单的抄公式,难的可能要动点脑(感觉就是作业摆烂导致我没4.3)
考试几乎全是名词解释和简答题,1-2道计算题,计算题考MOSFET的概率是70%,复习的话不用过于计较作业题
考题回忆:
解释热载流子效应、跨导等
JFET/MESFET/MOSFET工作原理异同和应用前景
解释pn结击穿的三种方式和应用实例(每种击穿至少一个)
写出BJT电流表达式并解释BJT四种工作状态
给你数据算一个MOSFET的阈值电压并判断是什么类型的,画出转移曲线,解释几种短沟道效应
画CMOS图解释工作原理,说明CMOS功率主要与什么因素有关,两个缩小规则(也许)
老师上课很认真,有点喜欢推公式。上课的人数不多,基本都是微电子的同学。课程难度不大,没有作业,只有平时测试和调研报告。期末半开卷,还没出分,不好评价给分。 已经出分,给分很好的。课程内容主要是:PN结,BJT,JFET(MESFET),MOS及一点CMOS。 这门课按老师的说法主要是介绍器件的IV,CV,器件原理等,帮助了解器件选型。总体还是推荐的。