2024秋 2023秋 2022秋 2021秋 2020秋 课程号：ELEC5304P01
- 课程难度：中等
- 作业多少：很少
- 给分好坏：一般
- 收获大小：一般
| 选课类别：基础 | 教学类型：理论课 |
| 课程类别：研究生课程 | 开课单位：物理学系 |
| 课程层次：本研贯通 | 学分：3.0 |
考试与给分
《半导体器件原理》课程由徐军老师主讲，期末考试占70%，为开卷考试，题量较大，涉及计算题和多种概念，需要对课程内容有全面理解。一些题目在PPT和参考书上未找到答案。平时需提交一篇调研论文，平时占30%。给分较高，但出分较慢。
作业
作业仅需撰写一篇小论文，有调研性质，与本科课程相比显得负担较轻。“这大概就是研究生课特色吧。”这是课程的一大特点。
教学水平与课程内容
课程内容与本科半导体器件物理有较多重叠，主要覆盖CMOS反相器、电路图、PN结电流修正效应等。教学难度一般，偏重概念理解与记忆。缺乏基础的同学可能会感到挑战，但复习资料主要在PPT与黑板板书中，注意过去题目的复现。
总结
整体而言，该课程内容充实，难度适中，考试题量较大但开卷，强调课外文献调研。适合已具备基础的同学继续深入学习半导体器件原理。
- 课程难度：中等
- 作业多少：很少
- 给分好坏：一般
- 收获大小：很多
- 难度：中等
- 作业：很少
- 给分：一般
- 收获：很多
平时占30%，没有作业，只要交一篇小论文；期末开卷70%，体量比较大，计算题只有一道计算阈值电压的，然后再根据其正负判断是NMOS还是PMOS。其他考点包括：
（1）CMOS反相器的电路图、工作原理、优缺点、寄生效应、未来展望
（2）金半接触两种类型，不同点，电极中的物理机制和方法等
（3）解释名词如缓变沟道近似、耗尽近似、饱和夹断、截止夹断
（4）解释短沟道效应，说明方法
（5）PN结电流修正效应
（6）BJT非均匀基区内建电场和均匀基区内建电场的性能比较，提高高频性能方法
这些都在PPT或黑板的板书上，所以期末复习不用太焦虑，把一些知识梳理一下，知道去哪里找答案即可，还有就是一定要会计算阈值电压。
- 课程难度：简单
- 作业多少：很少
- 给分好坏：超好
- 收获大小：一般
- 难度：简单
- 作业：很少
- 给分：超好
- 收获：一般
很好的研究生专业基础课，事少分高，与本科的半导体器件物理内容有不少重叠。
考核是一次调研论文大作业和期末考试，期末考试开卷但题量较大。
- 课程难度：简单
- 作业多少：很少
- 给分好坏：一般
- 收获大小：很多
- 难度：简单
- 作业：很少
- 给分：一般
- 收获：很多
没什么说的，除了题量较大，其他没毛病
- 课程难度：中等
- 作业多少：很少
- 给分好坏：一般
- 收获大小：一般
- 难度：中等
- 作业：很少
- 给分：一般
- 收获：一般
刚考完，赶来评价。期末卷面占70，平时论文占30，课不去上都行（bushi）最后一节课会有期末复习，但其实就是讲一遍小标题，主要备考资料还是PPT。黑心书店的往年题可以买一份，里面的计算题在考场上会复现，今年考的是nmos阈值电压的计算，就是往年原题了。花十块钱买三四道计算题好奢侈。期末考试唯一的缺点是题量很大，抄都抄不过来，比考研抄肖四还折磨，手都抄冒烟了。当然，还有个小缺点是有些题PPT上我翻来覆去没找到答案，但感觉论文认真写了的话对总分影响不大，反正75万岁（）
- 课程难度：中等
- 作业多少：很少
- 给分好坏：杀手
- 收获大小：一般
- 难度：中等
- 作业：很少
- 给分：杀手
- 收获：一般
开卷，考试比较偏，复习的都没考到。部分题目PPT和参考书上都没。作业是一个文献报告。
