选课类别:计划 | 教学类型:理论课 |
课程类别:本科计划内课程 | 开课单位:微电子学院 |
课程层次:专业核心 | 学分:3.0 |
本来因为个人非常懒(在评课社区此前都未评课),本来不打算评课的,但是因为信智学部搬迁的原因最近一直在学校没什么事,于是就开始写评课。
从总体上说,半导体器件物理这门课是微电子学院大三下的必修课,主要是半导体方向的课程,与量子物理B、半导体物理一脉相承,如果想在半导体或者固体电子学方向深造的同学肯定是要学透这门课的。不过虽然说是一脉相承,但是跟半导体物理上的内容有一些是重合的,龙院长说以后可能会调整。
对于这学期开设的半导体器件物理,我觉得总的来说还是可以的,不过就如前面所说的课程衔接问题,有一些需要补足的地方。龙院长上课虽然不是很有激情,但是条理非常清楚;但是徐老师可能经验不太充足,对时间和课程进度的把握有所欠缺。这学期总的看还是龙院长教的时间长。因此我选择打9分。
课程的作业和半导体物理类似,但是有一项小组合作的阅读文献的任务,一共有三种文献:PN结、BJT和MOS。每组两人,阅读文献之后同一做PPT汇报,最后要将PPT和翻译的原文发给助教。个人觉得这个项目可能在最终成绩里占了不小的部分。
今年由于微电子学院的人数多于往年,导致文献汇报占了不短的时间,所以MOS的部分做了删减,且延长了一些时间给半导体方向的各位导师做一些汇报,也方便同学们找导师。不过这些内容在最终的期末的选择题里是有体现的(分值不大)。
最终考试也和半导体物理类似,半开卷带一张A4纸,今年的考试难度与往年相比似乎较低(推测),不过也不是那么简单,毕竟dhp同学提前交卷,徐老师就说他卷子差不多六十多( σ'ω')σ,导致dhp同学发誓再也不提前交卷╮(╯▽╰)╭
这门课没有补考,不及格的话,只能来年重修,课程的内容比较多,老师上课讲的也比较快,讲的内容很多,但考的不多,有一次文献汇报,用了两次课的时间,最后几周请来了微电子学院的部分器件方向的老师,相当于简单介绍了一下自己的研究方向,对器件感兴趣的同学还是可以听听的,没兴趣不听影响也不大,期末占比不多,另外这门课有签到,平时还是要来的,人如果比较少,可能会签到
最后说一下期末考试,有复习提纲,是2、3、4、5单元的,只会考提纲上的,1、6单元考一些选择和简答题,加一起分值15左右的样子,题型有三种:选择、简答、计算(3:4:3的比例),我自己因为沉迷手机导致最后一天才开始复习,PPT看完了PN结和BJT后发现所剩的时间已经看不了后两章了,最后直接放弃,借了几位同学的A4,整合了一份整合.pdf,覆盖率一般,大概能覆盖60分的样子,剩下的40分随便写了写,应该可以及格😭,不要因为有提纲就拖着不复习呀
半导体器件物理这门课理论和公式计算为主,不涉及特别复杂的数学,但要对各种器件的基本结构和工作原理有充分的认识和理解。总的来说这门课这学期体验还不错吧。龙老师上课中规中矩,徐老师上课很喜欢和大家互动(指提问题(手动狗头)),PPT公式内容多,知识比较杂,平时讲的都很快,想上课都听明白难度很大,细致复习也不太有时间,但个人感觉课下把重点内容搞懂就行了。
今年期末考试划考点感觉还是很不错的,半开卷,可以针对性复习写小抄。考试计算题型基本都包含在作业里,复习提纲上还着重强调“重点复习作业”(作业要好好写)。这次期末整体感觉不难,大家卷面应该都不低(可能只有我选择题错一堆,我是小丑呜呜呜),对大部分人来说主要可能就选择题最后四道考第六章讲座内容的题目有点麻烦(讲座知识点是真的碎真的多)。
学期中有一次文献阅读汇报,两人一组布置一篇论文,大体一人翻译一人做PPT汇报。确实花了点时间吧,但收获还是蛮大的。像我看的是MOSFET的文献,对MOSFET相关的科研研究就有了初步的认识了解。
这学期助教真的好评。刚开学还感觉一章一个助教有点多,搞搞一个群里好几个助教;但助教们都很认真负责,基础也非常扎实,平时问问题回答都非常详细及时;文献阅读的时候好些地方看不懂问助教,助教也都逐一帮忙解答。
半导体器件物理理论上来说和量子物理B、半导体物理一脉相承,但个人感觉就算之前两门课掌握的不好,对这门课影响也不是很大,好好学就行了。老师们感觉也挺在意大家的评价,今年相比于去年好像有所改进,希望这门课质量能越来越高。
(这门课要求比较严,调分力度未知,挂科无补考,第二年重学)
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